Samsung HBM3E Shinebolt-Speicher enthüllt, HBM4-Entwicklungsupdate

Samsung stellte seinen HBM3E-Speicher namens Shinebolt während der Veranstaltung Memory Tech Days 2023 vor. Der HBM3E-Speicher des Unternehmens ist ein Upgrade des bestehenden HBM3-Speichers und bietet neue Maßstäbe für Speicherbandbreite und -geschwindigkeit. Es soll mit High-End-Prozessoren und GPUs für Server und Edge-Computing verwendet werden. Das Unternehmen gab außerdem weitere Informationen über die Entwicklung von GDDR7 VRAM, LPDDR5X CAMM-Speicher und abnehmbarer AutoSSD bekannt.

Der HBM3E-Speicher von Samsung soll schneller sein als vergleichbare Chips von Micron und SK Hynix

Der Shinebolt HBM3E DRAM des südkoreanischen Unternehmens ist für den Einsatz in Rechenzentren zum Training von KI-Modellen und vielen anderen Hochleistungsanwendungen konzipiert. Es bietet Datenübertragungsgeschwindigkeiten von 9,8 Gbit/s pro Pin, was bedeutet, dass Übertragungsraten von bis zu 1,2 Tbit/s erreicht werden können. Samsung hat die NCF-Technologie (Non-Conductive Film) verbessert, um Lücken zwischen den Chipschichten zu beseitigen und so die Wärmeleitfähigkeit zu verbessern.

Samsung stellt einen 24-GB-HBM-Chip unter Verwendung eines 4G EUV-basierten 10-nm-Knotens (14 nm) her. Mit den 8Hi- und 12Hi-Kits kann das Unternehmen Kapazitäten von 24 GB und 36 GB herstellen und damit 50 % höhere Kapazitäten als HBM3-Speicher bereitstellen. Das Unternehmen bewirbt ein Minimum von 8 Gbit/s/Pin und bietet ein einzelnes HBM3E-Paket mit einer minimalen Bandbreite von 1 TB/s und einer maximalen Bandbreite von 1.225 TB/s an, was höher ist als bei den Konkurrenten Micron und SK Hynix.

Der HBM3E-Speicher des Unternehmens befindet sich derzeit in der Musterphase und wird zum Testen an seine Kunden gesendet. Die Massenproduktion dieser Speicherchips wird irgendwann im Jahr 2024 beginnen.

Samsung verrät weitere Details zur Entwicklung des HBM4-Speichers

Samsung gab außerdem bekannt, dass es fortschrittlichere Herstellungs- und Verpackungstechniken für den HBM4-Speicher verwenden wird. Obwohl die HBM4-Spezifikation noch nicht genehmigt wurde, hat sich herausgestellt, dass die Industrie eine breitere Speicherschnittstelle (2048 Bit) verwenden möchte. Das Unternehmen möchte FinFET-Transistoren anstelle von Planartransistoren verwenden, um den Stromverbrauch zu senken.

Der südkoreanische Hersteller von Speicherchips möchte bei der Verpackung vom Mikrobonden zum indirekten Bonden (direktes Kupfer-auf-Kupfer-Bonding) übergehen. Diese Technologie ist selbst in der Logikchip-Herstellung relativ neu, sodass HBM4 möglicherweise sehr teuer ist.

Samsung GDDR7 sorgt für einen um 50 % geringeren Standby-Stromverbrauch

Vor einigen Monaten gab Samsung bekannt, dass die erste Entwicklung des GDDR7-Speichers abgeschlossen sei. GDDR7 verwendet PMA3-Signale und stellt 1,5 zu übertragende Bits pro Zyklus bereit. Das Unternehmen wird mit der Auslieferung von 16-Gb-Modulen (2 GB) beginnen, die mit bis zu 32 Gbit/s laufen können, was einer Verbesserung von 33 % gegenüber GDDR6-Speicher entspricht.

Es kann eine Übertragungsgeschwindigkeit von 1 TB/s über einen 256-Bit-Speicherbus bieten. Dieser neue Speichertyp verbessert dank zusätzlicher Taktsteuerungen die Energieeffizienz im aktiven und Standby-Zustand. Samsung rechnet damit, irgendwann im Jahr 2024 als erstes Unternehmen mit der Auslieferung von GDDR7-Speicherchips zu beginnen. Der genaue Zeitrahmen wurde jedoch noch nicht bekannt gegeben.

Samsung hat außerdem Petabyte-SSD- und LPCAMM-Speicher vorgestellt

Während seiner Memory Tech Days 2023-Veranstaltung gab Samsung außerdem bekannt, dass es möglicherweise das erste Unternehmen sein könnte, das eine SSD (PBSSD) im Petabyte-Format auf den Markt bringt. Vor einigen Tagen wurde ein neuer Formfaktor für LPDDR5X-DRAM für Laptops und PCs angekündigt: LPCAMM-Speicherchips. Der kompakte, abnehmbare DRAM-Formfaktor ermöglicht es den Laptop- und PC-Märkten, mehr eingebettete Geräte zu liefern, in denen DRAM nicht verlötet ist. Daher können Benutzer CAMM2-DRAM-Module entfernen und aktualisieren.

Für spezielle On-Device-KI-Workloads bot das Unternehmen auch LLW2-DRAM an. Samsung stellte außerdem 9,6 Gbit/s LPDDR5X DRAM-Chips und UFS-Chipsätze (Universal Flash Storage) der nächsten Generation vor. Das Unternehmen stellte außerdem die BM9C1 QLC-SSD (Quad-Level Cell) mit hoher Kapazität für PCs vor.

Samsung stellt die weltweit ersten abnehmbaren SSD-Laufwerke für den Einsatz in Autos vor

Für den Einsatz in Autos kündigte Samsung das abnehmbare AutoSSD-System an, das Datenübertragungsgeschwindigkeiten von bis zu 6.500 MB pro Sekunde und eine Speicherkapazität von bis zu 4 TB bietet. Da es abnehmbar ist, können Autohersteller Änderungen an ihren Fahrzeugkonfigurationen vornehmen. Das südkoreanische Unternehmen präsentierte außerdem GDDR7-VRAM- und LPDDR5X-DRAM-Speicherchips mit hoher Bandbreite.

Jong Bae Lee, Präsident und Leiter der Memory Business Division bei Samsung Electronics, sagte:Die neue Ära der groß angelegten KI hat die Branche an einen Scheideweg gebracht, an dem sich Innovation und Chancen kreuzen, und stellt eine Zeit dar, die trotz der Herausforderungen das Potenzial für große Sprünge nach vorne bietet. Durch grenzenlose Vorstellungskraft und unermüdliche Beharrlichkeit werden wir weiterhin marktführend sein, indem wir Innovationen vorantreiben und mit Kunden und Partnern zusammenarbeiten, um Lösungen zu liefern, die die Möglichkeiten erweitern.“